美国正在积极阻止中国获取最新技术，华盛顿停止向这个亚洲大国出口先进芯片和芯片制造设备。 由于这一技术限制， DG 亚洲时报报道 中国半导体行业协会（CSIA）集成电路分会会长、中国集成电路创新联盟（CICIA）秘书长叶天春鼓励企业重点在成熟的前后端技术上进行创新。 。 这一重点应该优先于试图赶上西方及其附属半导体公司英特尔、英伟达和台积电。
随着中国CPU制造商龙芯在4月份发布了与第十代英特尔芯片兼容的处理器，中国正在努力开发国产芯片，但其性能仍落后AMD、英特尔和高通当前芯片的性能至少五年。 美国阻止ASML为其在中国的光刻系统提供服务，这对中国最大的代工厂中芯国际产生了负面影响。
中国的上海微电子装备集团（SMEE）已经生产光刻设备，而另一家诺拉科技（Noura Technology）也想进入该行业。 然而，他们仍然落后于ASML为最新节点生产芯片的能力。 如果中国无法在三到五年内找到克服这些挑战的方法，那么它就有可能在尖端芯片方面落后于西方竞争对手。
叶天春相信，中国能够走出一条通向技术优势的新道路。 他建议中国企业不应在纳米竞赛中追随DSMC等全球顶级芯片制造商，而应专注于更成熟的节点和架构创新。
毕竟，在台积电每年生产的 1200 万片 12 英寸晶圆中，近 80% 的最新 SoC 使用旧节点而不是尖端设计。 美国的制裁使中国成为成熟边缘芯片的领导者之一； 因此，中国发挥其核心优势，转向制造电气和电子设备所需的高端传统芯片是有意义的。
天纯建议重点关注架构创新和后端流程。 摩尔定律表明，3nm 和 2nm 芯片正在达到当前的架构极限，Arm 和三星等公司正在寻求新的开发来提高晶体管密度。 他表示，中国半导体公司距离这项技术还有几年的时间，因此他们需要在7纳米之前致力于架构创新。 芯片设计人员必须与系统封装公司合作来提供这些创新，使他们能够在该领域获得比较优势。
许多中国科技公司正在寻求追随长期主导的纳米竞赛，其中包括英特尔、AMD、英伟达和高通等公司。 然而，中国将很难赶上这些科技公司，特别是因为美国的每一步都在阻止。 因此，中国科技公司不应追随他们，而应开辟自己的道路，针对美国及其盟友忽视的技术进行创新。
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